緩衝蝕刻液(Buffer Oxide Etchant, BOE)
緩衝蝕刻液(Buffered Etching Solution)主要用於精確控制蝕刻速率和提高蝕刻均勻性,主要用於蝕刻二氧化矽(SiO₂)層,這是半導體製程中的關鍵步驟之一。
化學反應式如下:
SiO₂ + 4HF + 2NH₄F → (NH₄)₂SiF₆ + 2H₂O
緩衝蝕刻液(Buffer Oxide Etchant, BOE)
緩衝蝕刻液(Buffered Etching Solution)主要用於精確控制蝕刻速率和提高蝕刻均勻性,主要用於蝕刻二氧化矽(SiO₂)層,這是半導體製程中的關鍵步驟之一。
化學反應式如下:
SiO₂ + 4HF + 2NH₄F → (NH₄)₂SiF₆ + 2H₂O